TSMC, 2nm transistör üretimi için düğmeye bastı

Taşınabilir ve masaüstü işlemcileri konusunda her geçen gün daha fazla ilerleme kaydeden şirketler geliştirdikleri teknolojiler ile fizik kurallarına meydan okumaya devam ediyor. TSMC, 2nm MBCFET teknolojisi ile gündeme geldi.

TSMC, 2nm MBCFET teknolojisi ile gündemde

MBCFET (Multi-Bridge Channel FET) sayesinde transistör üretiminde 3nm düzeyine kadar inmeyi kafaaran şirketler, yeni geliştirilen teknoloji sayesinde daha uygun sonuçlar elde etti. GizChina, TMSC tarafından yapılan çalışmalar sonucunda 2nm ile birlikte güç verimliliğini büyük ortanda artırıldığını açıkladı.

Birinci sefer FinFET olmayan düğümler ile oluşturulan sistemin, 2023 yılının ikinci yarısında seri üretim için hazır olacağı düşünülüyor. 5nm ve 3nm teknolojilerinden farklı olarak MBCFET gibisi bir tasarım kullanacak olan TMSC, geliştirilen teknoloji sayesinde transistörlerin performanslarını büyük ölçüde artıracak.

MBCFET transistörler, kuvvet kaybını azaltmak ve verimliliği artırmak için GAAFET (Gate All Around) tasarım anlayışı ile üretilmektedir. Samsung ve Intel bir müddet evvel yeni işlemcilerini MBCFET teknolojisi ile üreteceğini açıklamıştı.

Analistler MBCFET ile birlikte üretilen işlemcilerin batarya performansı konusunda beklenenden daha yeterli sonuçlar elde edileceğini düşünüyor. 2024 yahut 2025 yılında hayatımıza girecek olan 2nm işlemciler ile ilgili ne düşünüyorsunuz? Niyetlerinizi yorumlarda belirtebilirsiniz.

 

%d blogcu bunu beğendi: